产品优势:

• 全面再现晶圆抛光工艺条件
• 提供无与伦比的重复性
• 使用小晶片而不是整个晶圆作测试，节省大量成本

CMP工作原理示意图

• CMP过程：抛光液中的碱与硅表层发生化学反应，并生成较疏松的硅酸盐（粘附在表层，阻碍深层反应），再通过SiO2胶粒和抛光布垫的机械摩擦而脱离表面，从而实现表层剥离。此过程反复进行，从而对硅片逐层剥离，并实现对硅片的高精度抛光。
• 主要特点：化学反应--机械去除--再反应--再去除……是一种化学作用和机械作用相结合的抛光工艺（二者互相控制）。
• 优点：包含了化学、机械抛光的双重优点。

TriboLab CMP硬件构成：

TriboLab CMP功能：

1. 实时监控
   • 加载力，摩擦力 （Fz,Fx)
   • 抛光垫修复力（Cx,Cz)
   • 声发射信号（AE）
   • 温度检测（TR）
   • 摩擦系数（COF）
   • Z，X，Y方向的位移，速度等多个通道信号
2. 开放编程
   • 测试步骤的添加，设计
   • 在测试步骤中通过设置加载方式，加载力（压力/压强），转速（包含上式样，下式样转速可分开设置）抛光液流量，旋转方向等多样参数设置实现个性化实验需求；